隨著電子科技技術的發(fā)展，MOS管被廣泛應用于各個領域。對于行業(yè)人士來說，只要接觸電子電路設計，就必然需要接觸MOS管。而在MOS管的使用過程中，會出現(xiàn)一種常見的作用現(xiàn)象——米勒效應，它一般會出現(xiàn)在MOS管的開通器件之中。而且，在MOS管中，門極和漏極間還會存在米勒電容。

那么，什么是米勒電容呢？米勒電容并非指存在MOS管中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入的等效電容。根據米勒定理可以得知，這個等效電容比棚漏間的實際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應所形成的等效電容稱為米勒電容。

當遇到MOS管出現(xiàn)米勒電容，MOS管廠從而影響整體的開啟時間時，有相關人士會考慮在柵極和源極間并聯(lián)一個小電容。但根據米勒定力，在棚源極間并聯(lián)一個電容對減小米勒電容于事無補，反之更會降低MOSFET的開啟速度，增加開通關斷時間。

因此，針對這一現(xiàn)象，我們應如何正確地處理呢？根據工程師的經驗之談，MOS管廠正確的處理方式是在關斷感性負載時，如果驅動電路內阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯(lián)一個適當?shù)碾娙荩皇遣⒙?lián)一個越小越好的電容。這樣做可以防止關斷時因米勒電容影響出現(xiàn)的漏極電壓塌陷。

而在測試的過程中，一旦遇到米勒效應電容問題，首先要依據查詢數(shù)據手冊進行計算，在估算出電容數(shù)值后選取適當電容進行電路系統(tǒng)修改調整。

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